英诺激光申请发光二极管芯片转移方法专利可得到显示效果较好的显示屏幕

　　国家知识产权局信息显示，英诺激光科技股份有限公司申请一项名为“发光二极管芯片的转移方法、装置及显示屏幕”的专利，公开号CN121310751A，申请日期为2025年9月。

　　专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管芯片的转移方法、装置及显示屏幕，包括：对承载了多个发光二极管芯片的中间载板进行检测，确定中间载板对应的光谱映射图，其中光谱映射图用于反映多个发光二极管芯片分别对应的发光参数，发光参数包括发光波长和/或发光亮度；对光谱映射图进行栅格化处理，生成处理后的光谱映射图；针对处理后的光谱映射图中每个栅格，根据栅格内多个发光二极管芯片的发光参数，确定栅格对应的发光指标；根据每个栅格对应的发光指标所属的指标范围，将中间载板上栅格内的多个发光二极管芯片转移至指标范围对应的目标载板。本公开可以得到波长一致和/或亮度一致的目标载板，以便可以利用目标载板生成显示效果较好的显示屏幕。

　　天眼查资料显示，英诺激光科技股份有限公司，成立于2011年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本15215.1932万人民币。通过天眼查大数据分析，英诺激光科技股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目16次，财产线条，此外企业还拥有行政许可17个。

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